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一文解讀IGBT的過(guò)流和漏電保護(hù)

更新時(shí)間:2025-10-21

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資源介紹

IGBT是高頻開(kāi)關(guān)元件,芯片內(nèi)部的電壓密度大。當(dāng)發(fā)生過(guò)流或漏電故障時(shí),元件中流過(guò)的小于額定值的電壓時(shí),極易使元件管芯結(jié)溫下降,造成元件燒掉。明天我們就來(lái)說(shuō)說(shuō)IGBT的過(guò)流和漏電保護(hù)。MOo物理好資源網(wǎng)(原物理ok網(wǎng))

漏電與過(guò)流之前我們介紹過(guò)IGBT的漏電測(cè)試,明天我們來(lái)談?wù)処GBT漏電和過(guò)流時(shí)該怎么保護(hù)。首先一點(diǎn),對(duì)IGBT的過(guò)流或漏電保護(hù)響應(yīng)時(shí)間必須快,必須在10us以內(nèi)完成。通常來(lái)說(shuō),過(guò)電壓是IGBT電力電子線路中常常發(fā)生的故障和毀壞IGBT的主要誘因之一,過(guò)流保護(hù)應(yīng)該首先考慮。MOo物理好資源網(wǎng)(原物理ok網(wǎng))

過(guò)流與漏電保護(hù)是兩個(gè)概念,它們既有聯(lián)系也有區(qū)別。過(guò)流大多數(shù)是指某種誘因造成的負(fù)載過(guò)載;漏電是指橋臂直通,或主電流經(jīng)過(guò)開(kāi)關(guān)IGBT的無(wú)負(fù)載回路,它們的保護(hù)方式也有一定區(qū)別。如過(guò)流保護(hù)常用電壓檢也傳感,漏電保護(hù)常通過(guò)測(cè)量IGBT飽和壓降,配合驅(qū)動(dòng)電路來(lái)實(shí)現(xiàn)。不同的功率有不同的方式來(lái)實(shí)現(xiàn)過(guò)流或漏電保護(hù)。漏電分為一類及二類兩種,但這兩種漏電都有一個(gè)共同點(diǎn),那就是,IGBT會(huì)出現(xiàn)“退飽和現(xiàn)象”,當(dāng)IGBT一旦退出飽和區(qū),它的耗損會(huì)成百倍的往上升,這么容許持續(xù)這些狀態(tài)的時(shí)會(huì)特別嚴(yán)苛了,只有10us,我們須要靠驅(qū)動(dòng)器發(fā)覺(jué)這一行為并關(guān)閉門(mén)極。IGBT過(guò)流的情況則是,回路電感較大,電壓爬升很慢(相對(duì)于漏電),IGBT不會(huì)發(fā)生退飽和現(xiàn)象,并且因?yàn)殡妷罕日9r要高好多,因而經(jīng)過(guò)若干個(gè)開(kāi)關(guān)周期后,IGBT的耗損也會(huì)比較高,結(jié)溫也會(huì)迅速上升,進(jìn)而造成失效。在這時(shí),IGBT驅(qū)動(dòng)器通常是不能及時(shí)發(fā)覺(jué)這一現(xiàn)象的,由于IGBT的飽和壓降的變化很微弱,驅(qū)動(dòng)器一般辨識(shí)不到這些變化。所以須要靠電壓傳感來(lái)感知電壓的數(shù)值,對(duì)系統(tǒng)進(jìn)行保護(hù)。MOo物理好資源網(wǎng)(原物理ok網(wǎng))

所以,我們覺(jué)得,IGBT驅(qū)動(dòng)器是為了解決漏電保護(hù),而過(guò)流保護(hù)則是由電壓傳感來(lái)完成。MOo物理好資源網(wǎng)(原物理ok網(wǎng))

IGBT發(fā)生漏電時(shí),描述漏電電壓的物理表達(dá)式如下,這是一個(gè)線性多項(xiàng)式。它表示,在漏電發(fā)生時(shí),電壓的絕對(duì)值與電流,回路中的電感量,及整個(gè)過(guò)程持續(xù)的時(shí)間有關(guān)系。MOo物理好資源網(wǎng)(原物理ok網(wǎng))

絕大部份的漏電母線電流都是在額定點(diǎn)的影響漏電電壓的誘因主要是“短路回路中的電感量”。因而對(duì)漏電行為進(jìn)行分類定義時(shí),漏電回路中的電感量是主要的分類根據(jù)。MOo物理好資源網(wǎng)(原物理ok網(wǎng))

假如漏電回路中的電感量再繼續(xù)減小,這么電壓變化率就顯得更低,此時(shí)就不是漏電了,弄成“過(guò)流”了。這時(shí)驅(qū)動(dòng)器是察覺(jué)不到這些異常狀態(tài)的,因而在系統(tǒng)中須要電壓傳感來(lái)感知電壓的絕對(duì)數(shù)值,繼而進(jìn)行“過(guò)流保護(hù)”。我們覺(jué)得,一般IGBT驅(qū)動(dòng)器是不能進(jìn)行過(guò)流保護(hù)的。MOo物理好資源網(wǎng)(原物理ok網(wǎng))

二類漏電與過(guò)流之間沒(méi)有顯著的界限,學(xué)術(shù)上沒(méi)有進(jìn)行定義,在工程上,可以做一個(gè)很簡(jiǎn)略的假定:10A/us以下的電壓變化率視為“過(guò)流”。MOo物理好資源網(wǎng)(原物理ok網(wǎng))

一類漏電MOo物理好資源網(wǎng)(原物理ok網(wǎng))

發(fā)生一類漏電時(shí),IGBT的電壓會(huì)Vge電流波形快速上升,當(dāng)電壓上升到一定數(shù)值時(shí),(通常為4倍額定電壓),IGBT會(huì)發(fā)生退飽和現(xiàn)象其標(biāo)志是IGBT的電流會(huì)迅速上升至直流母線電流。MOo物理好資源網(wǎng)(原物理ok網(wǎng))

短路造成電流過(guò)大的原因_短路會(huì)引起電流增大_短路會(huì)造成電流過(guò)大嗎MOo物理好資源網(wǎng)(原物理ok網(wǎng))

當(dāng)IGBT退出飽和區(qū)后IGBT的電漏電電壓波形,流為4倍額定電壓(此倍數(shù)與芯片類型有關(guān)),電流為母線電流,(外電路的所有電動(dòng)勢(shì)都?jí)涸贗GBT上),IGBT芯片的耗損特別大短路會(huì)造成電流過(guò)大嗎,按照尺寸書(shū),其最多本事受10us的漏電狀態(tài)。驅(qū)動(dòng)器須要在此時(shí)間內(nèi)把IGBT關(guān)閉,此時(shí)的關(guān)斷是完全安全的。MOo物理好資源網(wǎng)(原物理ok網(wǎng))

二類漏電MOo物理好資源網(wǎng)(原物理ok網(wǎng))

發(fā)生二類漏電時(shí)因?yàn)榛芈返碾姼辛可源螅妷号郎乃俾事艘恍?比一類漏電慢,但實(shí)際還是很快的)短路會(huì)造成電流過(guò)大嗎,門(mén)極脈沖打開(kāi)時(shí),IGBT的Vce增長(zhǎng)至飽和壓降,隨著電壓進(jìn)一步加強(qiáng),飽和壓降輕微上升;當(dāng)電壓抵達(dá)“退飽和點(diǎn)”時(shí),Vce迅速上升至直流母線電流,我們把Vce上升的過(guò)程稱為“退飽和”行為。當(dāng)IGBT退出飽和區(qū)后,其耗損要比未退飽和前高數(shù)百倍,由于Vce從幾伏上升至幾百伏,而電壓則沒(méi)有顯著變化。從退飽和算起,10us內(nèi)必須關(guān)斷IGBT。MOo物理好資源網(wǎng)(原物理ok網(wǎng))

另外,還須要注意的是,當(dāng)IGBT電壓上升的過(guò)程中,Vge也在上升,這是因?yàn)槊桌招?yīng),IGBT在漏電時(shí),門(mén)極電流有被向下抬高的趨勢(shì)。MOo物理好資源網(wǎng)(原物理ok網(wǎng))

漏電和過(guò)流保護(hù)MOo物理好資源網(wǎng)(原物理ok網(wǎng))

IGBT發(fā)生漏電時(shí),電壓上升至4倍額定電壓以上,最終IGBT是要將這個(gè)電壓關(guān)斷開(kāi)的,這時(shí)的電壓的數(shù)值比平時(shí)晶閘管額定工作時(shí)的電壓高了好多,所以此時(shí)形成的電流尖峰也是十分高的。為了避免電流尖峰受損IGBT,還須要引入我們今天聊過(guò)的電路——有源鉗位電路,但并不是所有的驅(qū)動(dòng)電路都須要配備有源鉗位功能,容量比較大的IGBT,就比較有必要配置此電路。MOo物理好資源網(wǎng)(原物理ok網(wǎng))

下邊我們簡(jiǎn)單地介紹下常用的過(guò)流和保護(hù)舉措:MOo物理好資源網(wǎng)(原物理ok網(wǎng))

小功率IGBT模塊MOo物理好資源網(wǎng)(原物理ok網(wǎng))

短路造成電流過(guò)大的原因_短路會(huì)引起電流增大_短路會(huì)造成電流過(guò)大嗎MOo物理好資源網(wǎng)(原物理ok網(wǎng))

對(duì)于小功率IGBT模塊,一般采用直接串內(nèi)阻的方式來(lái)測(cè)量元件輸出電壓,進(jìn)而判定過(guò)電壓故障,通過(guò)內(nèi)阻檢查時(shí),無(wú)延后;輸出電路簡(jiǎn)單;成本低;但測(cè)量電路與主電路不隔離,測(cè)量阻值上有幀率,為此,只適宜小功率IGBT模塊。諸如:5.5KW以下的變頻器。MOo物理好資源網(wǎng)(原物理ok網(wǎng))

中功率IGBT模塊MOo物理好資源網(wǎng)(原物理ok網(wǎng))

中功率IGBT模塊的電壓測(cè)量與過(guò)流、短路保護(hù),一種技巧是一直采用內(nèi)阻測(cè)量法,為了減少內(nèi)阻形成幀率及發(fā)熱生產(chǎn)的影響,可把帶散熱元件的采樣內(nèi)阻固定在散熱器上,以檢測(cè)更大的電壓。MOo物理好資源網(wǎng)(原物理ok網(wǎng))

中、大功率IGBT模塊MOo物理好資源網(wǎng)(原物理ok網(wǎng))

對(duì)于大、中功率IGBT模塊的電壓測(cè)量與過(guò)流保護(hù)常采用電壓傳感。但需注意要選擇滿足響應(yīng)速率要求的電壓傳感。因?yàn)轫氁渲脺y(cè)量電源,成本較高,但測(cè)量電路與主電路隔離,適用于大功率的IGBT模塊。保護(hù)電路動(dòng)作的時(shí)間須在10us之內(nèi)完成。MOo物理好資源網(wǎng)(原物理ok網(wǎng))

通過(guò)測(cè)量IGBT飽和壓降實(shí)現(xiàn)漏電保護(hù)MOo物理好資源網(wǎng)(原物理ok網(wǎng))

IGBT一般工作在逆變橋上,并處于開(kāi)關(guān)工作狀態(tài),若設(shè)計(jì)不當(dāng),便于發(fā)生漏電現(xiàn)象。對(duì)于漏電保護(hù),常用的方式是通過(guò)測(cè)量IGBT的飽和壓降Vce(sat)來(lái)實(shí)現(xiàn)漏電保護(hù),它常常配合驅(qū)動(dòng)電路來(lái)實(shí)現(xiàn),其基本原理如右圖所示:MOo物理好資源網(wǎng)(原物理ok網(wǎng))

當(dāng)過(guò)流或則漏電發(fā)生時(shí),設(shè)定一個(gè)參考電流Vref,一旦通過(guò)快恢復(fù)晶閘管測(cè)量的Vce(sat)≥Vref時(shí),保護(hù)電路動(dòng)作,保護(hù)電路必須在10us之內(nèi)將IGBT關(guān)斷。采用先增加?xùn)烹娏鞯姆绞剑瑢?shí)現(xiàn)軟關(guān)斷,可以降低IGBT的關(guān)斷撓度,甚至延長(zhǎng)保護(hù)電路動(dòng)作時(shí)間。MOo物理好資源網(wǎng)(原物理ok網(wǎng))

對(duì)于過(guò)流、過(guò)壓?jiǎn)栴}的保護(hù),你們可以多在實(shí)際工作中結(jié)合具體產(chǎn)品去了解,不同的行業(yè)的不同產(chǎn)品采用的方案各有不同,考慮的優(yōu)缺也會(huì)不一樣,你們多結(jié)合身邊的案例去思索。MOo物理好資源網(wǎng)(原物理ok網(wǎng))

明天的內(nèi)容希望大家才能喜歡。MOo物理好資源網(wǎng)(原物理ok網(wǎng))

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