1977年恢復考試制度后，他通過全國高考，考入北京大學物理系77級。 1980年參加并通過了李政道先生組織的考試，1981年秋赴美國普林斯頓大學物理系學習。 1986年6月獲數學物理哲學博士學位。同年9月赴德克薩斯州立大學奧斯汀分校數學系從事博士后研究。 1989年回國后，在北京大學物理系擔任第二位博士后。 1991年晉升副教授，1995年晉升教授北大理論物理專業，1998年任博士生導師。
1996年10月至1997年8月，在國泰航空基金會（hip）資助下，赴英國牛津大學理論物理系學習十個月； 1998年1月至5月，在國泰航空基金會（hip）資助下，赴香港浸會大學（rsity）物理系學習五個月； 2000年1月至3月，在英國有關基金的資助下北大理論物理專業，赴劍橋大學牛頓學院參加“強相關電子系統研討會”。
在過去的十年中，我一直致力于研究強相關電子系統的一些定性結果。 他在以下四個方面做出了獨特的工作： 引入了一種新的方法來精確估計哈密頓量本征譜的下界，從而將著名的鐵磁態的研究從只有一個孔的情況擴展到無限的情況孔； 基于Lieb教授引入的“自旋反射正性”技術，首次建立了研究強相關電子系統中電子相關函數的新方法。 作為-定理的補充，建立了溫度為零時某類長程有序不存在的充分條件，并將這一結果進一步推廣為兩類長程有序共存的充分條件。范圍順序。 當電子數為奇數時，“自旋反射正性”方法得到推廣，從而建立了強相關電子系統中電荷能隙與自旋能隙之間的普適關系。 [1]
這些作品引起了國內外同行的極大興趣。 其中一些作品被外國同事在評論文章中發表在有影響力的評論期刊上，例如《現代物理學評論》（of）。
近五年代表性工作
GS Tian 和 TH Lin，“準一：一些”，Phys. Rev. B 53,8196 (1996)。
GS Tian，“A 表示多體中的兩個 Long-g”，J. Phys. A: Math. Gen. 30,841 (1997)。
GS Tian，“單一模型”，Phys. Rev. B 56, 5355 (1997)。
GS Tian，“-$U$ 模型中的和間隙：一些”，J. Phys. A: Math.Gen. 30, 5329(1997)。
GS Tian，??”和半態自旋間隙：A''，Phys. Rev. B58, 7612(1998)。
GS Tian 和 LH Tang，“小篇：A”，Phys. Rev. B 58, 12333 (1998)。
GS Tian 和 LH Tang，“on-in at”，Phys.Rev. B 60, 11336 (1999)。