本實(shí)用新型專(zhuān)利技術(shù)公開(kāi)了一種線(xiàn)性和非線(xiàn)性?xún)?nèi)阻特性手動(dòng)檢測(cè)系統(tǒng)，其特征在于檢測(cè)系統(tǒng)包括直流穩(wěn)壓電路模塊、數(shù)據(jù)處理模塊和電源模塊； 直流穩(wěn)壓電路模塊與數(shù)據(jù)處理模塊電連接； 供電模塊為數(shù)據(jù)處理模塊供電； 直流穩(wěn)壓電路模塊包括降糖變壓器、二極管檢測(cè)電橋、固定輸出穩(wěn)壓電路、電位器R1、電位器R2、保護(hù)內(nèi)阻R3和被測(cè)內(nèi)阻插孔； 數(shù)據(jù)處理模塊包括電流檢測(cè)、電流檢測(cè)、A/D轉(zhuǎn)換電路和單片機(jī)； 可將被測(cè)內(nèi)阻插入被測(cè)內(nèi)阻插孔，減少外界原因的干擾，保證內(nèi)阻接觸良好，更加保證檢測(cè)的準(zhǔn)確性。 線(xiàn)性和非線(xiàn)性?xún)?nèi)阻不是規(guī)定電阻的阻值，而是可變電阻的阻值。 本實(shí)用新型專(zhuān)利技術(shù)不僅工藝簡(jiǎn)單，而且智能化程度高，偏差小，精度高。
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【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
該技術(shù)涉及熱學(xué)領(lǐng)域，具體為一種線(xiàn)性和非線(xiàn)性?xún)?nèi)阻特性的手動(dòng)檢測(cè)系統(tǒng)。
技術(shù)介紹
線(xiàn)性和非線(xiàn)性?xún)?nèi)阻的伏安特性研究在生產(chǎn)、教學(xué)、科研等各個(gè)領(lǐng)域都經(jīng)常遇到。 雖然電流檢測(cè)方法已經(jīng)很成熟，但電流檢測(cè)方法還存在很多不足，如2.2公開(kāi)了一種線(xiàn)性?xún)?nèi)阻和非線(xiàn)性?xún)?nèi)阻伏安特性研究實(shí)驗(yàn)箱，該實(shí)驗(yàn)箱設(shè)計(jì)電路利用試驗(yàn)箱原有部分的線(xiàn)性和非線(xiàn)性特性，讀取電流表和電壓表的數(shù)據(jù)，從而研究其伏安特性。 上述方案看似可以實(shí)現(xiàn)線(xiàn)性?xún)?nèi)阻和非線(xiàn)性?xún)?nèi)阻的伏安特性研究，但該方案僅限于試驗(yàn)室規(guī)定的線(xiàn)性和非線(xiàn)性電阻，研究范圍是小。 但是，電流表讀數(shù)和電壓測(cè)量時(shí)，偏差較大，準(zhǔn)確度不高。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足，本技術(shù)所要解決的技術(shù)問(wèn)題是：提供一種線(xiàn)性和非線(xiàn)性?xún)?nèi)阻特性的人工檢測(cè)系統(tǒng)。 該技術(shù)除工藝簡(jiǎn)單外，還具有智能化程度高、偏差小、精度高等特點(diǎn)； 本技術(shù)所指的線(xiàn)性和非線(xiàn)性?xún)?nèi)阻不是規(guī)定電阻的線(xiàn)性和非線(xiàn)性?xún)?nèi)阻，而是可變電阻的線(xiàn)性和非線(xiàn)性?xún)?nèi)阻。 非線(xiàn)性電阻。 本技術(shù)解決該問(wèn)題所采用的技術(shù)方案是：提供一種線(xiàn)性和非線(xiàn)性?xún)?nèi)阻特性手動(dòng)檢測(cè)系統(tǒng)，其特征在于，所述檢測(cè)系統(tǒng)包括直流穩(wěn)壓電路模塊、數(shù)據(jù)處理模塊和電源模塊。 ; 直流穩(wěn)壓電路模塊與數(shù)據(jù)處理模塊電連接； 供電模塊為數(shù)據(jù)處理模塊供電； 直流穩(wěn)壓電路模塊包括降糖變壓器、二極管檢測(cè)電橋、固定輸出穩(wěn)壓電路、電位器R1、電位器R2、保護(hù)內(nèi)阻和被測(cè)內(nèi)阻插孔。 晶閘管檢測(cè)橋包括四個(gè)晶閘管，分別為包括穩(wěn)壓芯片、電容Ci和電容C2在內(nèi)的固定輸出穩(wěn)壓電路。 市電連接降糖變壓器 降糖變壓器的高壓側(cè)接晶閘管檢測(cè)橋與VD2、VD42之間的橋壁，晶閘管檢測(cè)橋的*陰極端接輸入端固定輸出穩(wěn)壓電路端，固定輸出穩(wěn)壓電路輸出端接R的下端，Rl的上端接三極管檢測(cè)的VD3、VD4共陰極電橋，Ri的中心抽頭接R的下端，R2的上端接三極管檢測(cè)電橋的VD3、VD4共陰極端，R2的中心抽頭接R3的一端被測(cè)內(nèi)阻插孔，被測(cè)內(nèi)阻插孔的另一端接&的一端，R3的另一端接晶閘管檢測(cè)橋的VD3、VD4*正極端子； 數(shù)據(jù)處理模塊包括電流檢測(cè)、電流檢測(cè)、A/D轉(zhuǎn)換電路和單片機(jī)； A/D轉(zhuǎn)換電路與單片機(jī)電連接； 電流傳感負(fù)極接被測(cè)內(nèi)阻插孔下端，正極接被測(cè)內(nèi)阻插孔上端和輸出端接A/D轉(zhuǎn)換電路; 電壓傳感電壓原邊輸入端接被測(cè)內(nèi)阻插孔上端非線(xiàn)性電阻的測(cè)量實(shí)驗(yàn)報(bào)告，電壓原邊輸出端接保護(hù)內(nèi)阻下端，輸出次級(jí)端接A/D轉(zhuǎn)換電路。
與現(xiàn)有技術(shù)相比，本技術(shù)的有益療效是：將被測(cè)內(nèi)阻插入被測(cè)內(nèi)阻插孔非線(xiàn)性電阻的測(cè)量實(shí)驗(yàn)報(bào)告，減少了外因的干擾，保證了內(nèi)阻接觸良好，保證了精度。的檢測(cè)。 線(xiàn)性和非線(xiàn)性?xún)?nèi)阻沒(méi)有規(guī)定電阻器的阻值，而是可變電阻器的阻值。 該技術(shù)通過(guò)改變電位器的阻值來(lái)改變線(xiàn)性和非線(xiàn)性?xún)?nèi)阻的電流和電壓； 通過(guò)保護(hù)內(nèi)阻，避免被測(cè)非線(xiàn)性?xún)?nèi)阻在反接時(shí)被反向擊穿，具有方向性，在電路中起著重要作用。 很好的保護(hù)。 在數(shù)據(jù)處理模塊中，該技術(shù)采用電流傳感和電壓傳感，讀取的電流電壓模擬信號(hào)數(shù)據(jù)準(zhǔn)確。 【附圖說(shuō)明】 圖1為本技術(shù)的線(xiàn)性和非線(xiàn)性?xún)?nèi)阻特性人工檢測(cè)系統(tǒng)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖； 圖中： 1、直流穩(wěn)壓電路模塊； 2、數(shù)據(jù)處理模塊； 3、電源模塊一個(gè)； 201. 電壓感測(cè)； 202. 電流感測(cè)； 203、A/D轉(zhuǎn)換電路； 204. 單片機(jī)。 [0017] 圖2是本技術(shù)的一種線(xiàn)性和非線(xiàn)性?xún)?nèi)阻特性人工檢測(cè)系統(tǒng)實(shí)施例的直流穩(wěn)壓電路模塊電路圖； 圖中：101、降壓變壓器； 102、二次管檢測(cè)電橋； 103、固定輸出穩(wěn)壓電路； 104、被測(cè)內(nèi)阻插孔狀態(tài)為OΩ—1kD電位器； R2為0Ω—1000Ω電位器； R3 為 IkD 內(nèi)阻。 [具體實(shí)施方法] 下面結(jié)合技術(shù)實(shí)施例中的附圖，對(duì)技術(shù)實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整的描述。 事實(shí)上，所描述的實(shí)施示例只是技術(shù)實(shí)施示例的一部分，而不是全部示例。
基于本技術(shù)中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，均屬于本技術(shù)的保護(hù)范圍。 本技術(shù)提供的線(xiàn)性和非線(xiàn)性?xún)?nèi)阻特性手動(dòng)檢測(cè)系統(tǒng)，該檢測(cè)系統(tǒng)包括直流穩(wěn)壓電路模塊1、數(shù)據(jù)處理模塊2和電源模塊3； 直流穩(wěn)壓電路模塊1與數(shù)據(jù)處理模塊2電連接； 電源模塊3為數(shù)據(jù)處理模塊2供電； 直流穩(wěn)壓電路模塊1包括降糖變壓器101、二極管檢測(cè)電橋102、固定輸出穩(wěn)壓電路103、兩個(gè)電位器、保護(hù)內(nèi)阻和被測(cè)內(nèi)阻插孔104； 降糖變壓器101采用220V轉(zhuǎn)1V降糖變壓器。 晶閘管檢測(cè)電橋102的作用是檢測(cè)交流電變?yōu)橹绷麟姡чl管檢測(cè)電橋102包括四個(gè)晶閘管，分別為VD1'VD2、VD3、VD4，采用晶閘管； 固定輸出穩(wěn)壓電路103包括穩(wěn)壓芯片、電容C1和電容C2，穩(wěn)壓芯片采用X7805芯片，電容C1S0.33uF，(：2為0.1uF的電容；所述兩個(gè)電位器采用OΩ -1OkQ電位器RjPOΩ-1000Ω電位器R2；所述保護(hù)內(nèi)阻采用電阻為IkQ的內(nèi)阻R3。市電高壓側(cè)接減糖變壓器101，減糖變壓器低壓側(cè)101接晶閘管檢測(cè)電橋102與VD2、VD4之間的橋壁，晶閘管檢測(cè)電橋102的VD、VD2共陽(yáng)端接固定輸出穩(wěn)壓電路103的輸入端，固定輸出穩(wěn)壓電路103的輸出端接R1的下端，R1的上端接三極管檢測(cè)電橋102的VD3、VD4共陰端，R1的中心抽頭接R2的下端，R2的上端接三極管檢測(cè)電橋102 R2的VD3、VD4共陰極，R2的中心抽頭接被測(cè)內(nèi)阻插孔104的一端，被測(cè)內(nèi)阻插孔104的另一端接&的一端，R3的另一端接檢測(cè)電橋陽(yáng)極端的VD3、VD4*； 數(shù)據(jù)處理模塊2包括電流傳感器201、電流傳感器202、A/D轉(zhuǎn)換電路203和單片機(jī)204。 A/D轉(zhuǎn)換電路203與單片機(jī)兼容
【技術(shù)保護(hù)要點(diǎn)】
一種線(xiàn)性和非線(xiàn)性?xún)?nèi)阻特性手動(dòng)檢測(cè)系統(tǒng)，其特征在于檢測(cè)系統(tǒng)包括直流穩(wěn)壓電路模塊、數(shù)據(jù)處理模塊和電源模塊； 直流穩(wěn)壓電路模塊電性連接數(shù)據(jù)處理模塊。 電源模塊為數(shù)據(jù)處理模塊供電； 直流穩(wěn)壓電路模塊包括降糖變壓器、二極管檢測(cè)電橋、固定輸出穩(wěn)壓電路、電位器R1、電位器R2、保護(hù)內(nèi)阻R3和被測(cè)內(nèi)阻插孔。 三極管檢測(cè)電橋包括四個(gè)三極管，分別為VD1、VD2、VD3、VD4； 固定輸出穩(wěn)壓電路包括穩(wěn)壓芯片、電容C1和電容C2。 變壓器低壓側(cè)接晶閘管檢測(cè)橋VD1、VD3間橋壁和VD2、VD4間橋壁。 電壓電路的輸出端接R1的下端，R1的上端接三極管檢波橋的VD3、VD4共陰端，R1的中心抽頭接R2的下端，R2的上端接三極管檢測(cè)電橋的VD3、VD4共陰極端，R2的中心抽頭接被測(cè)內(nèi)阻插孔的一端，另一端接被測(cè)內(nèi)阻插孔插孔接R3的一端，R3的另一端接三極管檢測(cè)電橋的VD3、VD4共陰極端； 數(shù)據(jù)處理模塊包括電流檢測(cè)、電流檢測(cè)、A/D轉(zhuǎn)換電路和單片機(jī)； A/D轉(zhuǎn)換電路與單片機(jī)電連接； 電流傳感負(fù)極接被測(cè)內(nèi)阻插孔下端，正極接被測(cè)內(nèi)阻插孔上端和輸出端接A/D轉(zhuǎn)換電路; 電壓傳感電壓原邊輸入端接被測(cè)內(nèi)阻插孔上端，電壓原邊輸出端接保護(hù)電阻下端，輸出端副邊接A/D轉(zhuǎn)換電路。
【技術(shù)特點(diǎn)概要】
【專(zhuān)利技術(shù)性質(zhì)】
技術(shù)開(kāi)發(fā)人員：金培培、趙全明、張濤、楊艷芳、馬昕、李玲玲、
申請(qǐng)人（專(zhuān)利權(quán)）：山東工學(xué)院，
類(lèi)型：新
國(guó)家省市：北京； 12
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