半導體物理公式包括：
1. 歐姆定律：I = V / R，其中I是電流，V是電壓，R是電阻。
2. 費米-狄拉克分布：N(E) = (exp(beta(E - Ef)) + 1) / 2，其中N(E)是費米能級附近E的電子濃度，beta是玻爾茲曼常數，E是電子能量，Ef是費米能級。
3. 載流子統計：對于半導體中的電子，可以應用玻爾茲曼統計得到分布函數f(E) = (exp(beta(E - Ec)) + 1) / 2，其中Ec是室溫下的電子能級。對于半導體中的空穴，可以類似得到分布函數g(E) = (exp(-beta(E - Ev)) + 1) / 2，其中Ev是室溫下的空穴能級。
相關例題舉例：
例題：已知某半導體材料的室溫下的費米能級為3.5eV，室溫下的電子有效質量為0.067m0，求室溫下半導體中電子濃度。
解答：根據費米-狄拉克分布，室溫下的電子濃度為N = N0 exp(-beta(Ef - Ec))，其中N0是真空中的電子濃度，此處可以近似為常數1.6x10^(-19)個/cm3。根據載流子統計，有Eg = 1.5eV，此處可以近似為室溫下的帶隙。此處可以近似認為室溫下的費米能級等于室溫下的帶隙加上一個常數（例如0.5eV），即Ef = 3.5eV + 0.5eV = 4eV。代入上述公式可得N = 1.6x10^(-19) exp(-beta(4eV - Ec))。
注意：以上公式和例題僅供參考，具體內容可能會根據不同的半導體材料和溫度有所不同。在具體應用時，需要結合實際情況進行計算。
半導體物理公式：
1. 費米-狄拉克分布：N(E) = (E_F?∣∣E?E_F∣∣)exp(∣∣E?E_F∣∣)∑(E_F?∣∣E?E_F∣∣)
2. 德布羅意公式：∣∣p∣∣=h/√(2mεc^2)
例題：
題目：一電子在電勢差為U的電場中沿一圓周路徑運動一周后，請計算該電子的動能的變化量。
分析：電子在電場中運動，其動能會發生變化，因此需要用到德布羅意公式和費米-狄拉克分布。
解：設電子的質量為m，速度為v，圓周的半徑為r，電勢差為U。
根據德布羅意公式，電子的動量p=h/√(2mεc^2)，其中εc是真空中的光速。
電子沿圓周運動一周，其動能的變化量為ΔE=Δp?v=Δ(mv^2)/2=Δmv^2/2=U^2/εc^2。
因此，電子動能的變化量為ΔE=U^2/εc^2。
總結：本題主要考查了德布羅意公式和費米-狄拉克分布的應用，需要理解公式的含義并能夠靈活運用。
半導體物理公式主要涉及到載流子（電子和空穴）的濃度、遷移率、費米能級、飽和電流密度等。以下是一些主要公式及其講解和相關例題：
1. 費米-狄拉克分布：描述了半導體中電子或空穴的濃度，其公式為N=C(E-Ef)/kBTE。其中N是載流子的濃度，E是能量，Ef是Fermi能級（通常由溫度和化學計量數決定），kB是玻爾茲曼常數，T是溫度。
例題：已知半導體中電子濃度Ne=1.5×10^{20}cm^{-3}，kT=26meV，Ef=0，求半導體中空穴濃度Np。
答案：根據費米-狄拉克分布，Np=N/(1+exp(Ef-KEp)/kT))≈N/2，其中KEp為電子的動能。
2. 霍爾效應：描述了半導體中電流通過時，其電荷分布和電場的變化。其公式為J=μ(eN/d)V/(d+L)，其中J是電流密度，μ是載流子遷移率，N是濃度，V是空間變化速度，d和L是樣品厚度和長度。
例題：已知某半導體樣品厚度d=5μm，長度L=1cm，室溫下遷移率為5×10^{(-2)cm^{2}/Vs，}載流子濃度ne=1.5×10^{20}cm^{-3}，求樣品中的電流密度。
答案：帶入公式即可得到電流密度J≈3×10^(-6)A/cm^2。
以上公式在半導體物理中非常重要，但需要注意的是，半導體物理是一個非常復雜的領域，需要深入學習和理解。此外，常見問題如半導體的類型（如硅、鍺、砷化鎵等）、摻雜類型（如施主和受主類型）、PN結的形成和特性等也是學習半導體物理的重要內容。
以上內容僅供參考，建議咨詢專業人士或者查看專業的半導體物理書籍。