半導體物理知識點總結如下：
1. 半導體材料：硅（Si）和鍺（Ge）是最常用的材料，此外，化合物半導體如砷化鎵（GaAs）在光電子學中也有重要應用。
2. 本征半導體：純凈的、未摻雜的半導體。其電子濃度為N0，空穴濃度略小于電子濃度（N0 ≈ P0）。
3. 摻雜與PN結：通過摻入某些元素，可以改變半導體的電學性質。常見的摻雜元素有磷（P）和銻（As）。摻雜后半導體中產生出自由電子，形成N型半導體，如P+N型Si半導體中P元素起空穴摻雜作用，N元素起電子摻雜作用。或摻雜后半導體中產生出自由空穴，形成P型半導體，如N+P型Si半導體中N元素起電子摻雜作用，P元素起空穴摻雜作用。半導體器件中常用的摻雜方式有：少子注入、多子注入、少子檢出、多子檢出等。PN結的形成是由于半導體兩側摻雜元素類型不同，形成空間電荷區，由P區到N區是電子濃度不斷減小的空間電荷區，而由N區到P區是空穴濃度不斷減小的空間電荷區。這些空間電荷區稱為PN結。
相關例題：
1. 半導體材料有_____和_____。
2. 半導體二極管具有_____的特點。
3. 在PN結的形成過程中，電流從N區流向P區時稱為_____。
4. 在PN結的擴散過程中，多數載流子擴散是由濃度高的區域向濃度低的區域運動，以補償濃度差，這種運動稱為_____。
答案：
1. 硅（Si）；鍺（Ge）。
2. 單向導電性。
3. 擴散電流。
4. 擴散運動。
以上題目涉及半導體物理的基礎知識，希望能夠對你有幫助。另外，建議你可以查閱相關書籍或視頻，以獲得更全面和準確的信息。
半導體物理知識點總結：
1. 半導體中的自由電荷：半導體中有兩種電荷，分別是帶負電的自由電子和帶正電的空穴。
2. 半導體中的兩種載流子運動：在電場作用下，自由電子作定向運動，空穴也作漂移運動。
3. 半導體中的復合與平衡：在平衡狀態下，自由電子和空穴濃度相等。在外電場作用下，自由電子和空穴將不斷地從濃度高的區域向濃度低的區域進行擴散，與此同時，兩種載流子會從濃度低的區域向濃度高的區域進行漂移，以補充電子和空穴的消失。
相關例題：
1. 半導體中存在自由電子和空穴，其中自由電子帶（負）電，空穴帶（正）電。
2. 在半導體中加入（ ）后，自由電子和空穴的數目相等，形成等量的（ ）電流。
3. 半導體中的載流子運動有擴散和漂移運動兩種，擴散運動是由于（ ）的差異引起的，漂移運動是由于（ ）引起的。
以上題目主要考察了半導體物理的基礎知識，需要考生對這些概念有清晰的理解。另外，由于半導體在電子工程中的應用非常廣泛，因此考生還需要了解一些相關的應用知識。
半導體物理知識點總結
一、半導體基礎知識
半導體是一種特殊的物質形態，它既具有固態物質的性質，又具有液態物質的部分性質，介于導體和絕緣體之間。半導體材料很多，有單晶硅、鍺、化合物半導體如砷化鎵等，摻入不同元素后，可組成不同導電性質的半導體材料。
二、PN結的形成
半導體材料硅或鍺晶體中摻入微量雜質元素后，其導電能力大大增強，這種現象稱為本征激發。當向半導體摻入微量雜質時，雜質原子在晶體中填補了晶格上導電電子的空位，產生出更多的電子-空穴對。在擴散過程中，電子主要依靠熱運動從N區越過空間進入P區，空穴則相反，主要從P區越過空間進入N區。這樣就在PN結空間范圍內形成了空間電荷區。
三、半導體二極管
半導體二極管是一種具有單向導電性的特殊器件，它由一個PN結組成。根據PN結的深度不同，二極管可分為普通二極管、整流二極管、檢波二極管等。
四、半導體三極管
半導體三極管又稱雙極型晶體管，它是一種電流控制元件，其工作原理是基于電子和空穴的雙注入和雙漂移過程。三極管有三個極性，發射極（e）、基極（b）和集電極（c）。
相關例題與常見問題
一、選擇題
1. 半導體材料是（）。
A. 晶體硅 B. 玻璃 C. 陶瓷 D. 塑料
2. PN結的形成是因為（）。
A. 擴散運動形成的 B. 熱運動形成的 C. 漂移運動形成的 D. 擴散運動和漂移運動的共同作用
二、填空題
1. 半導體是一種特殊的物質形態，它既具有_____的性質，又具有_____的性質。
2. 三極管的三個極分別是____、____和____。
3. 二極管的主要作用是____。
常見問題
半導體材料在生活中有哪些應用？
PN結在哪些電子設備中起到關鍵作用？
如何理解半導體材料的導電性？
三極管在電子設備中有哪些應用？請舉例說明。
以上是半導體物理知識點總結和相關例題常見問題，希望能幫助你更好地理解和掌握半導體知識。