內阻并聯(lián)電阻的估算公式是什么？ 在電子電路中，當我們根據需要將幾個已知電阻的阻值并聯(lián)起來，得到的總內阻是多少？ 下面結合具體例子，看看如何估算串并聯(lián)的內阻：
內阻級數估算公式
內阻串聯(lián)估算公式將兩個以上的內阻一一連接起來，稱為內阻串聯(lián)。 將串聯(lián)內阻的兩端接入電源，構成內阻串聯(lián)電路，如圖所示。
圖中電路由內阻組成
與電源串聯(lián)組成，電路的端電流U等于各內阻兩端電流之和。 即式1：
由于串聯(lián)電路中只有一條電壓流經路徑，各內阻上的電壓相等，故各內阻上的電流為
因此，當內阻串聯(lián)時，串聯(lián)的總內阻等于串聯(lián)內阻的總和。
因此，當內阻串聯(lián)時，串聯(lián)電路的功率等于串聯(lián)電路中各內阻的功率之和。
并聯(lián)內阻估算公式
兩個或多個內阻的一端均接a點，另一端均接另一b點。 這種連接稱為內阻并聯(lián)。 將并聯(lián)內阻的兩端接入電源，構成內阻并聯(lián)電路，如圖1所示。
由于并聯(lián)內阻兩端的電流相同，根據歐姆定律，可得各并聯(lián)通路的支路電壓為
由于電路中的總電壓等于支路電壓之和，則
即式中R為并聯(lián)電路的等效內阻，將上式兩端乘以U即為
因此，并聯(lián)電路中總內阻的阻值等于各并聯(lián)電路內阻的倒數之和。
如果上述并聯(lián)內阻都是相同的R1=R2=R3電阻的串聯(lián)和并聯(lián)視頻講解，那么并聯(lián)內阻總內阻的估算公式就變成了：
上式中，RN為各回路的內阻； N是平行道路的數量。
晶振串聯(lián)內阻和并聯(lián)內阻的影響
電路在其輸出端串聯(lián)一個22K的內阻，在其輸出端和輸入端之間連接一個10M的內阻。 這里介紹這個是因為連接晶振的芯片內部是線性運放，將輸入反轉180度輸出。 由晶體振蕩器處的負載電容器的內阻形成的網絡提供了另一個 180 度的相移。 整個支路的相位相移360度滿足振蕩的相位條件，同時要求晶振正常工作的閉環(huán)增益小于或等于1。
與晶振串聯(lián)的內阻常用于防止晶振過驅動。 過驅動晶振的后果是逐漸磨損晶振的觸點鍍鎳層，導致頻率升高，造成晶振初期失效，也可用于調整。 用于調節(jié)和振蕩裕度。 晶振輸入輸出連接的內阻是為了形成負反饋，保證放大器工作在高增益線性區(qū)，一般在M歐級。 輸出端內阻與負載電容組成網絡，提供180度相移，同時起到限流作用。 通流的作用，防止反相器的輸出過驅動晶振而毀壞晶振。
Xin和Xout內部通常是施密特反相器，反相器不能驅動晶振回落。 為此，在逆變器的兩端并聯(lián)了一個內阻，輸出信號通過內阻進行反相。
內阻的作用是給電路內部的反相器加一個反饋回路，產生放大作用。 當晶體在其中時，反饋環(huán)路的交流等效物將根據晶體的頻率產生共振。 由于晶振的Q值很高，內阻在較大范圍內變化，不會影響輸出頻率。 以前測試這個電路穩(wěn)定性的時候，試過從100K到20M起振正常，但是會影響占空比。
內阻和并聯(lián)內阻的估算公式是什么？ 在電子電路中，當我們根據需要將幾個已知電阻的阻值并聯(lián)起來，得到的總內阻是多少？ 下面結合具體例子，看看如何估算串并聯(lián)的內阻：
內阻級數估算公式
內阻串聯(lián)估算公式將兩個以上的內阻一一連接起來，稱為內阻串聯(lián)。 將串聯(lián)內阻的兩端接入電源，構成內阻串聯(lián)電路，如圖所示。
圖中電路由內阻組成
與電源串聯(lián)組成，電路的端電流U等于各內阻兩端電流之和。 即式1：
由于串聯(lián)電路中只有一條電壓流經路徑，各內阻上的電壓相等，故各內阻上的電流為
因此，當內阻串聯(lián)時，串聯(lián)的總內阻等于串聯(lián)內阻的總和。
因此，當內阻串聯(lián)時，串聯(lián)電路的功率等于串聯(lián)電路中各內阻的功率之和。
并聯(lián)內阻估算公式
兩個或多個內阻的一端均接a點，另一端均接另一b點。 這種連接稱為內阻并聯(lián)。 將并聯(lián)內阻的兩端接入電源，構成內阻并聯(lián)電路，如圖1所示。
由于并聯(lián)內阻兩端的電流相同，根據歐姆定律，可得各并聯(lián)通路的支路電壓為
由于電路中的總電壓等于支路電壓之和，則
即式中R為并聯(lián)電路的等效內阻，將上式兩端乘以U即為
因此，并聯(lián)電路中總內阻的阻值等于各并聯(lián)電路內阻的倒數之和。
如果上述并聯(lián)內阻都是相同的R1=R2=R3，那么并聯(lián)內阻總內阻的估算公式就變成了：
上式中，RN為各回路的內阻； N是平行道路的數量。
晶振串聯(lián)內阻和并聯(lián)內阻的影響
電路在其輸出端串聯(lián)一個22K的內阻，在其輸出端和輸入端之間連接一個10M的內阻。 這里介紹這個是因為連接晶振的芯片內部是線性運放，將輸入反轉180度輸出。 由晶體振蕩器處的負載電容器的內阻形成的網絡提供了另一個 180 度的相移。 整個支路的相位相移360度滿足振蕩的相位條件，同時要求晶振正常工作的閉環(huán)增益小于或等于1。
與晶振串聯(lián)的內阻常用于防止晶振過驅動。 過驅動晶振的后果是逐漸磨損晶振的觸點鍍鎳層，導致頻率升高，造成晶振初期失效，也可用于調整。 用于調節(jié)和振蕩裕度。 晶振輸入輸出連接的內阻是為了形成負反饋，保證放大器工作在高增益線性區(qū)，一般在M歐級。 輸出端內阻與負載電容組成網絡，提供180度相移，同時起到限流作用。 通流的作用電阻的串聯(lián)和并聯(lián)視頻講解，防止反相器的輸出過驅動晶振而毀壞晶振。
Xin和Xout內部通常是施密特反相器，反相器不能驅動晶振回落。 為此，在逆變器的兩端并聯(lián)了一個內阻，輸出信號通過內阻進行反相。
內阻的作用是給電路內部的反相器加一個反饋回路，產生放大作用。 當晶體在其中時，反饋環(huán)路的交流等效物將根據晶體的頻率產生共振。 由于晶振的Q值很高，內阻在較大范圍內變化，不會影響輸出頻率。 以前測試這個電路穩(wěn)定性的時候，試過從100K到20M起振正常，但是會影響占空比。