由于并聯內阻兩端的電流相同，依照歐姆定理可求出各并聯大道的分支電壓為
因為電路中總電壓等于各分支電壓的和，則
即式中R為并聯電路的等值內阻，將上式兩端同乘以U則
所以，并聯電路中總內阻的電阻，等于各并聯內阻的倒數之和。
假如上述并聯內阻電阻均相同R1=R2=R3，則并聯內阻總內阻電阻估算公式弄成：
上述公式中，為RN為各個環路的內阻電阻；N為并聯的大道數。
晶振串聯內阻與并聯內阻作用
一份電路在其輸出端串接了一個22K的內阻，在其輸出端和輸入端之間接了一個10M的內阻。這兒介紹這是因為聯接晶振的芯片端內部是一個線性運算放大器，將輸入進行反向180度輸出，晶振處的負載電容內阻組成的網路提供另外180度的相移，整個支路的相移360度，滿足振蕩的相位條件，同時還要求閉環增益小于等于1，晶體才正常工作。
和晶振串聯的內阻常拿來防治晶振被過份驅動。晶振過于驅動的后果是將逐步耗損降低晶振的接觸鍍鎳電阻的串聯和并聯的特點，這將導致頻度的上升，并造成晶振的初期失效，又可以講調整用。拿來調整和發振余裕度。晶振輸入輸出聯接的內阻作用是形成負反饋，保證放大器工作在高增益的線性區，通常在M歐級，輸出端的內阻與負載電容組成網路，提供180度相移，同時起到限流的作用，避免反向器輸出對晶振過驅動，毀壞晶振。
Xin和Xout的內部通常是一個施密特反相器，反相器是不能驅動晶體回落的。為此，在反相器的兩端并聯一個內阻，由內阻完成將輸出的訊號反向。
內阻的作用是將電路內部的反向器加一個反饋回路，產生放大器，當晶體并在其中會使反饋回路的交流等效根據晶體頻度諧振，因為晶體的Q值十分高，因而內阻在很大的范圍變化都不會影響輸出頻度。過去電阻的串聯和并聯的特點，當初試驗此電路的穩定性時，試過從100K～20M都可以正常啟振，但會影響占空比比的。