市科技局“創(chuàng)新講堂”開講圣誕第一課
中科院碩導(dǎo)張建軍述說量子科技的奧秘
圣誕第二個工作日，市科技局便開啟了“夜學(xué)”的節(jié)奏。1月5日晚，由市科技局承辦的“創(chuàng)新講堂”在市科技館二樓國際廳舉辦，現(xiàn)場非常約請了中國科大學(xué)數(shù)學(xué)研究所博士生導(dǎo)師、研究員、課題主任張建軍開講圣誕第一課，市科技局和市婦聯(lián)領(lǐng)導(dǎo)班子成員，市科技局機關(guān)全體人員，局屬單位中層以上人員，市文聯(lián)及下屬單位全體人員等100多人出席活動。
講堂現(xiàn)場，張建軍作“量子科技與應(yīng)用”專題講堂，他從量子技術(shù)的概念、量子通訊技術(shù)的應(yīng)用以及量子估算的發(fā)展等幾個方面出發(fā)，用相對淺顯的語言和事例，分享了量子科技的最新發(fā)展趨勢和應(yīng)用方向，帶著你們展現(xiàn)了量子科技的奧秘。如他提及，在廣域量子通訊網(wǎng)路里，通過光纖可以實現(xiàn)城域量子通訊網(wǎng)路，通過中繼器聯(lián)接可以實現(xiàn)城際量子網(wǎng)路，通過衛(wèi)星中轉(zhuǎn)可以實現(xiàn)遠(yuǎn)距離量子通訊。
臺上講的精彩，臺下聽的認(rèn)真，不少人還拿起手機拍下老師的PPT講義鍺與量子通訊，等待講堂結(jié)束后，再回家細(xì)看揣測。甚至還有人早早來到現(xiàn)場，趕著在上課前幾分鐘向張建軍老師討教相關(guān)問題。講堂結(jié)束后，承辦方還非常預(yù)留了提問環(huán)節(jié)，你們圍繞各自關(guān)心或則好奇的領(lǐng)域，爭先恐后地向張建軍提問。
“以前聽過‘薛定諤的貓’，具體是如何一回事也不曉得，通過此次講堂，我大約曉得了它的具體含義，對于量子科技也有了一個膚淺的了解。”“張建軍老師的講堂，讓我對未來量子技術(shù)的應(yīng)用有了一個期盼，作為一個科技工作者，還是要盡可能了解一些與科技相關(guān)的前沿資訊。”市科技局、市婦聯(lián)的工作人員們紛紛表示，這“新年第一課”讓她們獲益頗豐。
此外，市科技局自2019年11月開設(shè)創(chuàng)新講堂以來，目前早已舉行了15場，先后約請了市黨政領(lǐng)導(dǎo)、科研專家、高校班主任、企業(yè)高管等各個領(lǐng)域的代表，通過現(xiàn)場講堂或則視頻講話的方式，為市科技局系統(tǒng)工作人員宣講講課，專題講解了區(qū)塊鏈技術(shù)及應(yīng)用、民法典等前沿知識，通過這一場場活動，創(chuàng)新講堂早已成為蘇州科技工作者提高政治理論素質(zhì)，加強業(yè)務(wù)能力水平的一個重要平臺。去年，市科技局將繼續(xù)約請相關(guān)領(lǐng)域的“大咖”們作客創(chuàng)新講堂，積極構(gòu)建創(chuàng)新講堂“專家智庫”鍺與量子通訊，努力將創(chuàng)新講堂塑造成為廣州科技系統(tǒng)的品牌活動，為加速推動“一區(qū)一廊”建設(shè)提供智力支持。
【個人名片】
張建軍，男，中國科大學(xué)數(shù)學(xué)研究所博士生導(dǎo)師，研究員，課題科長。
教育和工作經(jīng)歷：1997-2004年長沙學(xué)院化學(xué)系專科、碩士；2005-2010年美國馬普固體研究所和澳大利亞約翰開普勒學(xué)院聯(lián)合培養(yǎng)博士；2010-2012年美國萊布尼茲固體和材料研究所從事博士后研究；2013-2014年美國量子估算和通信技術(shù)卓越中心獨立從事原子尺度半導(dǎo)體元件研究；2014年加入中國科大學(xué)數(shù)學(xué)研究所，兼任2016年創(chuàng)立的半導(dǎo)體量子材料與元件課題組(N09)主任。
其團(tuán)隊目前的研究重點主要集中在：(1)面向量子估算的硅基量子芯片材料，包括半導(dǎo)體量子點、量子線和量子薄膜原子尺度的外延生長和物性表征；（2）面向硅基光電子集成的材料和元件，包括CMOS工藝兼容的硅基III-V族InAs/GaAs材料外延、器件和光電子集成研究。
獲得成果
1.發(fā)覺了在硅襯底上大規(guī)模生長鍺量子線的新方式，在零維量子點被發(fā)覺22年以后把它推廣到了一維量子線(PRL109,(2012))；實現(xiàn)了晶片級硅基鍺量子線的自組裝定位生長并觀測到可電場調(diào)控的強載流子軌道作用(Adv.Mater.32,(2020))；合作實現(xiàn)了國際首個鍺量子比特以及量子點和超導(dǎo)微波諧振腔的耦合，受邀為國際頂尖刊物《》合寫了綜述論文“TheRoute”。
2.有效克服了硅上生長多晶硅存在極性失配、晶格失配和熱失配的歷史困局(APL113,(2018);OME10,1045(2020))，實現(xiàn)了高性能Si(001)及SOI基InAs/GaAs量子點激光器等，對實現(xiàn)單片集成硅光芯片具有重要意義。