半導(dǎo)體物理和材料知識(shí)點(diǎn)和相關(guān)例題如下：
知識(shí)點(diǎn)：
1. 半導(dǎo)體材料：常見(jiàn)的半導(dǎo)體材料有硅（Si）和鍺（Ge）。
2. 半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性：半導(dǎo)體材料中有電子，也有人們稱(chēng)之為空穴的帶電粒子。這些粒子在電壓作用下可以定向移動(dòng)，這就構(gòu)成了半導(dǎo)體的導(dǎo)電原理。同時(shí)，半導(dǎo)體中的電子-空穴對(duì)壽命較長(zhǎng)，復(fù)合速度較慢，這就使得電子成為主要的載流子。
3. 雜質(zhì)半導(dǎo)體：在純凈的半導(dǎo)體中摻入極微量的雜質(zhì)，就形成雜質(zhì)半導(dǎo)體。雜質(zhì)半導(dǎo)體中只有雜質(zhì)原子帶正電荷，半導(dǎo)體中載流子數(shù)量大增，導(dǎo)電性能會(huì)顯著提高。
例題：
1. 以下哪種材料通常用作半導(dǎo)體材料？（ ）
A. 銅 B. 石墨 C. 硅 D. 鍺
2. 在純凈的半導(dǎo)體中摻入（ ）就形成雜質(zhì)半導(dǎo)體。
A. 一種原子 B. 幾個(gè)原子 C. 微量物質(zhì) D. 大量物質(zhì)
相關(guān)練習(xí)：
1. 下列材料中，通常用作半導(dǎo)體材料的是（ ）
A. 銅 B. 石墨 C. 硅 D. 鎢
2. 在純凈的硅中摻入微量雜質(zhì)能顯著提高導(dǎo)電性能，這種半導(dǎo)體稱(chēng)為（ ）
A. 少數(shù)載流子半導(dǎo)體 B. 多子載流子半導(dǎo)體 C. 本征半導(dǎo)體 D. 少子載流子半導(dǎo)體
以上是半導(dǎo)體物理和材料的一些知識(shí)點(diǎn)和相關(guān)例題，希望能幫助到你。
半導(dǎo)體物理和材料知識(shí)點(diǎn)及相關(guān)例題如下：
知識(shí)點(diǎn)一：半導(dǎo)體材料
1. 半導(dǎo)體材料：常見(jiàn)的半導(dǎo)體材料有硅、鍺和砷化鎵等。
例題：硅是常用的半導(dǎo)體材料，因?yàn)樗ǎ?span style="display:none">fZO物理好資源網(wǎng)(原物理ok網(wǎng))
答案：A.容易導(dǎo)電，但導(dǎo)熱能力差
知識(shí)點(diǎn)二：PN結(jié)的形成
1. PN結(jié)的形成是由于半導(dǎo)體材料中的電子和空穴的擴(kuò)散。
例題：PN結(jié)的形成是由于半導(dǎo)體材料中的（）。
答案：B.電子和空穴的擴(kuò)散
知識(shí)點(diǎn)三：PN結(jié)的單向?qū)щ娦?span style="display:none">fZO物理好資源網(wǎng)(原物理ok網(wǎng))
1. 當(dāng)PN結(jié)上加正向電壓（P區(qū)接正極，N區(qū)接負(fù)極）時(shí)，PN結(jié)處于阻斷狀態(tài)，電流不能通過(guò)。
2. 當(dāng)PN結(jié)上加反向電壓（P區(qū)接負(fù)極，N區(qū)接正極）時(shí)，PN結(jié)處于導(dǎo)通狀態(tài)，電流可以流通。
例題：PN結(jié)的單向?qū)щ娦允侵府?dāng)PN結(jié)上加（）時(shí)，電流可以流通。
答案：C.反向電壓
以上是半導(dǎo)體物理和材料的部分知識(shí)點(diǎn)，以及相關(guān)的例題。這些內(nèi)容是半導(dǎo)體器件的基礎(chǔ)，對(duì)于理解各種半導(dǎo)體器件的工作原理非常重要。
半導(dǎo)體物理和材料知識(shí)點(diǎn)
1. 半導(dǎo)體材料：常見(jiàn)的半導(dǎo)體材料包括硅（Si）和鍺（Ge）。這些材料通常在制造過(guò)程中經(jīng)歷特殊的工藝處理，以使其具有半導(dǎo)體的特性。
2. 半導(dǎo)體中的電子和空穴：在半導(dǎo)體中，帶負(fù)電荷的粒子稱(chēng)為電子，帶正電荷的粒子稱(chēng)為空穴。當(dāng)半導(dǎo)體中有電場(chǎng)時(shí)，電子會(huì)移動(dòng)，從而形成電流。
3. pn結(jié)：在半導(dǎo)體材料中，p型半導(dǎo)體（摻雜有高濃度空穴）和n型半導(dǎo)體（摻雜有高濃度電子）通過(guò)一定距離接觸形成pn結(jié)。在此區(qū)域，不同類(lèi)型的電荷將重新分布，并形成空間電荷層。
4. 半導(dǎo)體中的載流子注入：注入是指將電子或空穴從源極（或擴(kuò)散區(qū)）注入到n型或p型半導(dǎo)體中。這通常是通過(guò)電場(chǎng)加速和擴(kuò)散完成的。
5. 半導(dǎo)體中的電導(dǎo)率：半導(dǎo)體中的電導(dǎo)率取決于溫度、摻雜濃度和晶體結(jié)構(gòu)。
相關(guān)例題與常見(jiàn)問(wèn)題
1. 什么是半導(dǎo)體？
2. 半導(dǎo)體有哪些常見(jiàn)的材料？
3. 解釋半導(dǎo)體中的電子和空穴的概念。
4. 什么是pn結(jié)？它在半導(dǎo)體中起什么作用？
5. 什么是載流子注入？它在半導(dǎo)體中有什么影響？
6. 解釋半導(dǎo)體中的電導(dǎo)率與哪些因素有關(guān)。
7. 在制造集成電路時(shí)，如何利用半導(dǎo)體的特性？
8. 什么是pn結(jié)的單向?qū)щ娦裕磕隳芘e個(gè)例子嗎？
9. 在制作太陽(yáng)能電池時(shí)，如何利用半導(dǎo)體材料？
10. 在設(shè)計(jì)基于半導(dǎo)體的電子設(shè)備時(shí)，需要考慮哪些因素？
請(qǐng)注意，以上問(wèn)題僅為參考，實(shí)際考試可能包含更多具體、詳細(xì)的題目。建議在復(fù)習(xí)時(shí)結(jié)合實(shí)際例題進(jìn)行解答，深入理解這些知識(shí)點(diǎn)。